IAR环境下如何利用CC3200的低16KRAM?

Wang WeiHai

Intellectual 390 points

Other Parts Discussed in Thread: CC3200

试图通过修改 IAR的 icf 文件实现对CC3200的低16KRAM的利用,但是始终没有成功.

我的思路是建立一个新的段，然后将某些变量定义到这个区域, 使用的环境是 IAR 7.5

icf 文件定义如下:

方法1.

define region CFGZone = mem:[from 0x20000000 to 0x20003FFF]; /* 低16K*/
place in CFGZone { readwrite section RAM_Low16K };

方法2

.place at address mem:0x20005000 { readwrite section .RAM Low16K};

程序中定义如下：

/#pragma location = "RAM_Low16K"
u32 ABC;

或者

vu32 ABC @"RAM_Low16K" =0x123;

5 年多前

0 Viki Shi 5 年多前

TI__Guru**** 188340 points

/#pragma location = "RAM_Low16K" 这句是不是多了个/？其他没看出语法问题

0 Wang WeiHai 5 年多前回复 Viki Shi

Intellectual 390 points

Viki Shi 说：
/#pragma location = "RAM_Low16K" 这句是不是多了个/？其他没看出语法问题

Sorry 应该是：

#pragma location = "RAM_Low16K"

0 Viki Shi 5 年多前回复 Wang WeiHai

TI__Guru**** 188340 points

那语法没问题啊

0 Wang WeiHai 5 年多前

Intellectual 390 points

问题已经解决：

在 icf 文件中放置说明语句的位置有问题，CC3200.icf文件中有很多条件语句，我将说明语句放置到一个条件中，而该条件不满足导致语句失效。

下面是适当去掉注释后 CC3200.icf 文件的后半部分，将说明语句放置到第一个条件块中，或者干脆放置到条件块外部就可以

if (!isdefinedsymbol(Flash)){
place at start of SRAM { readonly section .intvec };
place in SRAM { readonly };
place in SRAM { section VTABLE };
place in SRAM { block CmdTbl };
place in SRAM { readwrite, block HEAP };

place in mem:[from 0x20000000 to 0x20003FFF] { readwrite section RAM_Low16K}; // 正确的放置1

} else
if (!Flash) {
place at start of SRAM { readonly section .intvec };
place in SRAM { readonly };
place in SRAM { section VTABLE };
place in SRAM { block CmdTbl };
place in SRAM { readwrite, block HEAP };

} else {
place at start of FLASH { readonly section .intvec };
place in FLASH { readonly };
place in FLASH { block CmdTbl };
place in SRAM { section VTABLE };
place in SRAM { readwrite, block HEAP };
}

place in mem:[from 0x20000000 to 0x20003FFF] { readwrite section RAM_Low16K}; // 正确的放置2

0 Viki Shi 5 年多前回复 Wang WeiHai

TI__Guru**** 188340 points

恭喜解决，也非常感谢你的详细反馈:)

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