在一个高速印刷电路板 (PCB) 中,通孔在降低信号完整性性能方面一直饱受诟病。然而,过孔的使用是不可避免的。在标准的电路板上,元器件被放置在顶层,而差分对的走线在内层。内层的电磁辐射和对与对之间的串扰较低。必须使用过孔将电路板平面上的组件与内层相连。

幸运的是,可设计出一种透明的过孔来最大限度地减少对性能的影响。在这篇博客中,我将讨论以下内容:

  1. 过孔的基本元件
  2. 过孔的电气属性
  3. 一个构建透明过孔的方法
  4. 差分过孔结构的测试结果
  1. 1.    过孔结构的基础知识

让我们从检查简单过孔中将顶部传输线与内层相连的元件开始。图1是显示过孔结构的3D图。有四个基本元件:信号过孔、过孔残桩、过孔焊盘和隔离盘。

过孔是镀在电路板顶层与底层之间的通孔外的金属圆柱体。信号过孔连接不同层上的传输线。过孔残桩是过孔上未使用的部分。过孔焊盘是圆环状垫片,它们将过孔连接至顶部或内部传输线。隔离盘是每个电源或接地层内的环形空隙,以防止到电源和接地层的短路。

 

1:单个过孔的3D 

  1. 2.    过孔元件的电气属性

如表格1所示,我们来仔细看一看每个过孔元件的电气属性。

过孔元件

电气属性

层1(顶层)

过孔焊盘

过孔焊盘在焊盘和下方的接地层之间引入寄生电容。

1-2层(过孔)

信号过孔

过孔是一个电感器。

层2(平面层)

隔离盘

隔离盘在金属圆柱表面和附近的过孔周围接地层之间产生边缘电容。

2-3层(过孔)

信号过孔

电感。

层3(信号)

过孔焊盘

焊盘与其上下的接地层之间的寄生电容。

3-4层(过孔)

过孔残桩

过孔的未使用部分形成电容短截线效应。

层4(平面层)

隔离盘

电容。

4-5层(过孔)

过孔残桩

过孔的未使用部分形成电容短截线效应。

层5(底层)

过孔焊盘

电容。

1:图1中显示的过孔元件的电气属性

一个简单过孔是一系列的π型网络,它由两个相邻层内构成的电容-电感-电容 (C-L-C) 元件组成。表格2显示的是过孔尺寸的影响。

 

相关尺寸

电气属性

对电容阻抗 (Zo) 的影响

过孔焊盘

小焊盘直径

C↓

Zo↑

过孔大小

小孔直径

L↑

Zo↑

隔离盘

大隔离盘直径

C↓

Zo↑

过孔长度

更长的过孔长度

L↑

Zo↑

电源/接地层

更多平面层

C↑

Zo↓

过孔残桩

更长的过孔残桩

C↑

Zo↓

过孔间距

更小的过孔间距

C↑

Zo↓

2:过孔尺寸的直观影响

通过平衡电感与寄生电容的大小,可以设计出与传输线具有相同特性阻抗的过孔,从而变得不会对电路板运行产生特别的影响。还没有简单的公式可以在过孔尺寸与C和L元件之间进行转换。3D电磁 (EM) 场解算程序可以根据PCB布局布线中使用的尺寸来预测结构阻抗。通过重复调整结构尺寸和运行3D仿真,可优化过孔尺寸,来实现所需阻抗和带宽要求。

 3. 设计一个透明的差分过孔

我们曾在之前的帖子中讨论过,在实现差分对时,线路A与线路B之间必须高度对称。这些对在同一层内走线,如果需要一个过孔,必须在两条线路的临近位置上打孔。由于差分对的两个过孔距离很近,两个过孔共用的一个椭圆形隔离盘能够减少寄生电容,而不是使用两个单独的隔离盘。接地过孔也被放置在每个过孔的旁边,这样的话,它们就能够为A和B过孔提供接地返回路径。

图2显示的是一个地-信号-信号-地 (GSSG) 差分过孔结构示例。两个相邻过孔间的距离被称为过孔间距。过孔间距越小,互耦合电容越多。

2:使用背面钻孔的GSSG差分过孔

不要忘记,在传输速率超过10Gbps时,过孔残桩会严重影响高速信号完整性。幸运的是,有一种背面钻孔PCB制造工艺,此工艺可以在未使用的过孔圆柱上钻孔。根据制造工艺公差的不同,背面钻孔去除了未使用的过孔金属,并最大限度地将过孔残桩减少到10mil以下。

3D EM仿真器用来根据所需的阻抗和带宽来设计差分过孔。这是一个反复的过程。此过程重复地调整过孔尺寸,并运行EM仿真,直到实现所需的阻抗和带宽。

 4. 如何验证性能

图2中显示的差分过孔设计已构建完毕并经测试。测试样片包括顶层的一对差分线,之后是到内部差分线的差分过孔,然后第二对差分过孔再次连接至顶层的球状引脚栅格阵列封装 (BGA) 接地焊盘。信号路径的总长度大约为1330mil。我用差分时域反射仪 (TDR) 测得其差分阻抗,用网络分析仪测得了带宽,并用高速示波器测量了数据眼图来了解其对信号的影响。图3,4,5分别显示了阻抗、带宽和眼图。左图是使用背面钻孔时的测试结果,而右图是无背面钻孔的测试结果。在图5中的带宽波特图中,我们可以很清楚地看到背面钻孔对于在数据速率大于10Gbps 的情况下实现高性能是必不可少的。

使用背面钻孔,ZDIFF大约为85Ω           无背面钻孔,ZDIFF大约为58Ω

3TDR阻抗波特图

12.5GHz时的插入损耗大约为3dB         12.5GHz时的插入损耗大于8dB

4:频率响应

使用背面钻孔时,数据眼是打开的    无背面钻孔时,数据眼是关闭的

                                  

5:25Gbps时的数据眼图

TI拥有丰富的高速信号调理集成电路 (IC)产品库,诸如retimer和redriver。它们有助于减轻和缓解所有类型差分对的缺陷和高插入损耗,从而实现先进系统中的可靠数据通信并扩展传输距离。

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其他资源

  • 查看TI低压差分信号(LVDS),多点LVDS (MLVDS),信号调理retimer和redriver产品库概述。
  • LVDS用户手册中了解与差分信令有关的更多内容。
  • 仔细阅读TI两端口40千兆以太网 (40GbE)/10GbE四通道小外形尺寸可插拔 (QSFP+) 信号调节器参考设计
  • DS80PCI810线性redriver参考设计中了解TI的外设组件高速互连 (PCIe) Gen-3板卡。
  • 阅读与WEBENCH® 接口设计人员工具相关的更多内容。这一工具可以帮助设计人员使用TI信号调理IC来解决差分对损坏问题。
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