/blogs_/b/analogwire/posts/51437作者: TI专家 Bruce Trump 翻译: TI信号链工程师 Michael Huang (黄翔) 之前我们看了CMOS和JFET放大器输入偏置电流的来源，发现其主要由一个或几个反向偏置的PN节的漏电流组成。如果没看过该文章， 请点击这里查看 。文章结尾引出了一个警示，这些漏电流随着温度升高而显著的增大。 PN节的反向偏置漏电流有很强的正温度系数，每升高10℃,漏电流大约增大一倍。在figure1归一化曲线中可以看出，这种指数增长使得漏电流快速增加。到125℃时，漏电流相对室温下增长了约1000倍zh-CNTelligent Community 13