<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>IC 的长期稳定性：唯一不变的是变化本身</title><link>/blogs_/b/analogwire/posts/ic</link><description>作者： Marek Lis 
 我们在 E2E™ 社区 高精度放大器论坛 上收到的一些最常见的问题都与 IC 不同参数的长期稳定性有关。自然界没有什么事物是静止的，产品说明书参数也不例外。 
 随着时间的推移，半导体材料的掺杂度以及封装对内部裸片产生的物理应力都会发生变化，这会导致产品的参数值发生偏移。这些偏移可在新产品质量认证过程中，通过测量生命周期测试过程中（在高温炉中执行的加速老化过程）的参数偏移进行量化。 
 125C 下 1000hrs 或 150C 下 300hrs 的典型生命周期测试持续时间可在室温下确保至少</description><dc:language>zh-CN</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>