<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>了解金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）产品说明书，第4部分 —— 脉冲电流额定值</title><link>/blogs_/b/power_house/posts/mosfet-4</link><description>欢迎场效应晶体管（FET）的爱好者们再度光临，阅读“ 了解MOSFET产品说明书 ”博客系列的第四部分！今天，笔者将谈论脉冲电流额定值、它们的计算方法以及在FET产品说明书的安全工作区图中是如何描绘它们的。 
 产品说明书首页上出现的脉冲电流额定值（I DM ）与连续电流额定值很相似，因为它是一个理论上的计算值。然而，与连续电流额定值不同的是，I DM 只是作为热约束条件（从正在标准化的R θJC 到给定的脉冲持续时间以及“绝对最大额定值”表的脚注中明确规定的占空比）的函数被计算出来的。 
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