<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>看懂MOSFET数据表，第3部分—连续电流额定值</title><link>/blogs_/b/power_house/posts/mosfet-3</link><description>嗨，我的FET狂热爱好者同行们，欢迎回到“ 看懂MOSFET数据表 ”博客系列的第3部分！今天我们来谈一谈MOSFET电流额定值，以及它们是如何变得不真实的。好，也许一个比较好的解释就是这些额定值不是用确定R DS(ON) 和栅极电荷等参数的方法测量出来的，而是被计算出来的，并且有很多种不同的方法可以获得这些值。 
 例如，大多数部件中都有FET“封装电流额定值”，这个值同与周围环境无关，并且是硅芯片与塑料封装之间内在连接线的一个函数。超过这个值不会立即对FET造成损坏，而在这个限值以上长时间使用将开始减少器件的使用寿命</description><dc:language>zh-CN</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>