<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>看懂MOSFET数据表，第5部分—开关参数</title><link>/blogs_/b/power_house/posts/mosfet-5</link><description>最后，我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的“ 看懂MOSFET数据表 ”博客系列的收尾部分。在这个博客中，我们将花时间看一看MOSFET数据表中出现的某些其它混合开关参数，并且检查它们对于总体器件性能的相关性（或者与器件性能没什么关系）。 
 另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (Q OSS ) 和反向恢复电荷(Q rr ) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语，不过设计人员在根据这些参数比较不同的FET时要小心</description><dc:language>zh-CN</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>