<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>生成任意量级的偏置电流网络（第二部分）</title><link>/blogs_/b/power_house/posts/52313</link><description>本系列 上一篇文章 中，得出了描述如图1中第N个R SET 电阻比的等式。 
 
 图 1 ：灌电流网络 
 该等式如下所示： 
 
 现在，关于等式1，有什么可说的呢？首先，M IN 比为1时，相应的M RN 比也将为1，这恰如预计的一样。第二，M IN 大于1时，等式1分母中两个项具有不同的表现。这意味着基于某些相关物理量（K n 、R SET1 、V REF ）的取值，M RN 可以变得任意大。因此，应避开这一范围，相应地，应转向M IN ≤ 1区域，即确保I SINKN 小于或等于I</description><dc:language>zh-CN</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>