<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>为你的flyback瘦身；甩掉多余的缓冲器</title><link>/blogs_/b/power_house/posts/flyback</link><description>在过去至少20年间，MOSFET已经被选择为很多开关模式电源设计的开关器件。由于它们较高的开关速度和更加简便的驱动特性，MOSFET已经取代了很多应用与功率级中的双极性结型晶体管 (BJT)。然而，对于基于反激式的低功率AC/DC充电器等应用，相对MOSFET，BJT具有某些明显的优势。 
 由于它们不同的器件结构，高压BJT的制造成本要低于高压MOSFET。正因如此，额定电压在1kV或者以上的BJT的价格要低于通用输入离线反激式转换器中常见的600V或650V MOSFET。 
 优势是显而易见的</description><dc:language>zh-CN</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator><item><title>回复:为你的flyback瘦身；甩掉多余的缓冲器</title><link>https://e2echina.ti.com/blogs_/b/power_house/posts/flyback</link><pubDate>Fri, 29 Apr 2016 03:28:02 GMT</pubDate><guid isPermaLink="false">91561404-af28-475a-b96b-cb6cbaadd097:b41385cf-0c35-4bde-a758-ef7e18f9883e</guid><dc:creator>li wang12</dc:creator><slash:comments>0</slash:comments><description>&lt;p&gt;这种方案效率比怎么样？&lt;/p&gt;
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