<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>直流/直流转换器数据表——系统损耗揭秘</title><link>/blogs_/b/power_house/posts/52384</link><description>欢迎回到直流/直流转换器数据表系列。 鉴于在上一篇文章中我介绍了系统效率方面的内容 ，在本文中，我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗，从第1部分中的图3（此处为图1）开始：V DS 和I D 曲线随时间变化的图像。 
 
 图 1 ：开关损耗 
 让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图1中的t1），源极电压（V GS ）正接近MOSFET的阈值电压</description><dc:language>zh-CN</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>