/blogs_/b/power_house/posts/g-a-n作者: 德州仪器设计工程师谢涌；设计与系统经理Paul Brohlin 导读： 将 GaN FET 与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于 GaN 的功率级设计。 氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感，并且优化开关性能。集成驱动器还可以实现保护功能 简介 氮化镓 (GaNzh-CNTelligent Community 13