说不完道不尽的氮化镓

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qiang wu7 — Mon, 25 Sep 2017 12:17:39 GMT

GaN在开关速度方面优势和更高的带宽可以实现更高的开关频率，减小功率级损耗和体积，但若没有适合GaNGaN生态系统(合适驱动器和控制器)，则无法完全发挥GaN的优势，所以GaN的出现应该促使控制器、驱动器和功率拓扑的同步发展，才能获得最大的价值。

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lan wu — Mon, 11 Sep 2017 14:32:34 GMT

据说氮化镓在某些领域优越于硅呢

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user4058737 — Tue, 05 Sep 2017 13:04:46 GMT

氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，是一种直接能隙*的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器*的条件下，产生紫光（405nm）激光。一方面，在理论上由于其能带结构的关系，其中载流子的有效质量较大，输运性质较差，则低电场迁移率低，高频性能差。另一方面，现在用异质外延（以蓝宝石和SiC作为衬底）技术生长出的GaN单晶，还不太令人满意（这有碍于GaN器件的发展），如位错密度达到了108~1010/cm2（虽然蓝宝石和SiC与GaN的晶体结构相似，但仍然有比较大的晶格失配和热失配）；未掺杂GaN的室温背景载流子（电子）浓度高达1017cm-3（可能与N空位、替位式Si、替位式O等有关），并呈现出n型导电。