氮化镓已为数字电源控制做好准备

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qiang wu7 — Mon, 25 Sep 2017 14:24:37 GMT

在低压数字电源中，氮化镓具有很大的优势。GaN的开关频率通常大于1MHz，可以在功率级中缩小无源元件尺寸，并加快瞬变响应速度，但对控制器提出了更高的要求。它需要时间基分辨率、采样分辨率和计算马力用于更高的开关频率、更窄的占空比和精确的死区时间控制。我想不久会有多核的控制器用于GaN控制。

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peng dai — Mon, 11 Sep 2017 16:24:35 GMT

GaN的高效率和高宽带性能比现有的LDMOS处于更有利，所以未来肯定是占领市场的

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Aiquan Yang — Tue, 05 Sep 2017 13:49:12 GMT

从电源技术的发展路径来看，我们始终沿着最求更高的工作频率、更高的转换效率和更小的体积这三者的目标在前进。氮化镓技术的发展，让我们看到了他在电源技术领域的广泛应用前景。氮化镓的各种特性非常有吸引力，更高的耐压，更快的开关频率、更低的开关损耗，都展示出氮化镓技术在电源技术领域应用的优势。不过，电源技术不仅仅取决于功率开关管的技术，他是一个系统工程，还取决于更高的采样分辨率、更快的采样频率、更窄的占空比和精确的死区时间控制、更快的控制算法等等。幸运的是，TI在这方面已经准备好了，我们可以顺畅的享有氮化镓技术给电源技术领域应用带来的好处了！让我们拭目以待。

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chen jida — Mon, 04 Sep 2017 12:14:12 GMT

GaN在开关频率上能做到更高，正常是Si的三倍以上，但是不能直接将GaN用在Si的板子上，两个器件在使用上有很大的差别，Layout上GaN有很多关键的点;

采用GaN设计电源时，为降低系统EMI，需考虑几个关键因素：首先，对于Cascode结构的GaN，阈值非常稳定地设定在2 V，即5 V导通， 0 V关断，且提供± 18 V门极电压，因而无需特别的驱动器。其次，布板很重要，尽量以短距离、小回路为原则，以最大限度地减少元件空间，并分开驱动回路和电源回路，而且需使用解调电容。对于硬开关桥式电路，使用磁珠而不是门极电阻，不要用反向二极管，使用解调母线电容。

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user1641152 — Mon, 04 Sep 2017 10:26:33 GMT

氮化镓功率器件在性能、效率、能耗、尺寸等多方面比市场主流的硅功率器件均有显著数量级的提升。氮化镓技术能带来全世界最快速的电晶体，是高频及超高效率电源转换的核心，随着氮化镓技术不断突破，电源产业将迎来技术的大革命。

有一种说法，最传统的半导体是硅Si，主要解决数据运算、存储的问题；而最新的半导体却以GaN为代表，它在光电转化方面性能突出，在微波信号传输方面效率很高，可以广泛地应用于照明、显示和通讯领域。可以说，GaN确实是目前最为新鲜的半导体技术，而且它的未来前景十分广阔！

根据分析机构调研数据，2015年，氮化镓功率器件市场低于1000万美元，预计氮化镓功率器件市场将在2021年达到3亿美元，2016-2021年的复合年增长率为86%。

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xiaobo mu — Mon, 04 Sep 2017 02:46:39 GMT

GaN可在无需支付后续费用的情况下增大开关频率。个人这就是它的优势所在，两点原因：1.使用成本可以大幅降低，利于推广。2.可以增大开关频率，也就是说可以让开关的速度更快，这个又将促使电子行业发生一次革命性的变化。期待GaN能更快更好的推广使用起来，为我们带来便利。

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user5033373 — Mon, 04 Sep 2017 01:13:57 GMT

在数字电源控制中，氮化镓无疑具有一定的优势，但是相对于成本来说，利用氮化镓做的电源控制是否还有一定的路待走。

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jianwei wu — Sat, 02 Sep 2017 08:00:17 GMT

GaN是一种已经成熟的半导体材料，广泛应用于LED照明，并在无线应用中发挥越来越重要的作用。目前，随着工艺的进步和缺陷率的不断降低，GaN在交直流电力转换、改变电压电平、并且以一定数量的函数确保可靠电力供应的电子电源中的优势越来越明显

基于GaN的开关功率晶体管可实现全新电源应用，与之前使用的硅材料(Si)晶体管相比，在高压下运转时，性能更高，损耗更低。

GaN的高频操作特性可以在保持高效率的同时提高性能

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user4015270 — Fri, 01 Sep 2017 10:15:55 GMT

在高开关频率上硅MOS管确实能力有限，GaN产品在这一领域应用将更加广泛，希望该产品价格上更具有优势。

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eyesee2008 — Fri, 01 Sep 2017 10:02:20 GMT

氮化镓的各种特性还是比较有吸引力，在数字电源控制领域是否能撑起一片天，那就得看市场的检阅了。