/blogs_/b/power_house/posts/52428随着在晶体管制造中引入诸如 氮化镓 (GaN) 等新型宽带隙材料，品质因数的显著改善转化为电源的潜在改良。 在这篇包括两个部分的博客系列中，我将讨论这些新型宽带隙材料是怎样能让新设计从中受益的。 采用带隙高于硅半导体的新型材料可缩减芯片尺寸，同时保持相同的隔离电压。 较小的芯片产生较低的寄生电容，并降低了晶体管栅极电荷 (Qg) 及输出电容 (Coss)。相比于标准的硅 MOSFET，在给定的频率下，这直接转化为较快的转换速度以及较少的转换损耗、较少的 Cosszh-CNTelligent Community 13