<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积</title><link>/blogs_/b/power_house/posts/60v-femtofet-mosfet</link><description>Other Parts Discussed in Post: CSD18541F5 在中国深圳，我最近遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“你碰巧在你的设计中用过60V的负载开关吗？”我问。他说用过，并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形尺寸晶体管(SOT)-23，漏源导通电阻R DS(ON) 通常100mΩ左右。“在这些电路板上，你有空间受限的问题吗？”我问。他承认有，于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息，R DS</description><dc:language>zh-CN</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>