/blogs_/b/power_house/posts/52556作为电源电子工程师，有一个说法是没有成功不基于电源设备爆炸的教训。这在我多年调试基于硅的MOSFET的开关模式电源的经验中似乎是真的。正是通过尝试、错误和研究设备故障，才学会了如何设计可靠工作的转换器。 在氮化镓（GaN）功率FET的早期阶段，故障很常见。更严格的栅极环路设计要求，更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当TI推出第一个 600V GaN功率级 样品时，我惊叹于该产品的可靠性和其自我保护功能的有效性。即使功率级已经通过严格的测试验证，我以前的硅器件经验让我对其在实际使用中的可靠性也感到好奇zh-CNTelligent Community 13https://e2echina.ti.com/blogs_/b/power_house/posts/52556Wed, 16 Nov 2016 06:08:22 GMT91561404-af28-475a-b96b-cb6cbaadd097:3a5f509c-5f1b-4aa0-a616-f3f01f2db792humphery han0<p>两年前就一直关注GaN和SiC的器件，作为第三代半导体材料，有着高耐压，快速开关的特性，但凡事都是一把双刃剑，GaN的MOSFET更快的开关速度会引起很多致命性的震荡，相对复杂的驱动线路也让人摸不清头脑，电力电子这个行业一直都是在小步试错，大步前进，前人给后人留下了很多经验，经验的不断积累，设计的不断创新才能推动新的产品的推广，新产品的普遍使用更能够积累更多的经验，算是一种良性循环，文章中提到了TI的驱动芯片的保护功能，过温，抗感染能力等，可以让工程师更大胆的去尝试，也能提高产品的可靠性，确实值得尝试！</p> <img src="https://e2echina.ti.com/aggbug?PostID=52556&AppID=65&AppType=Weblog&ContentType=0" width="1" height="1">