/blogs_/b/power_house/posts/52595所有功率级设计者期望在开关节点看到完美的方波波形。快速上升/下降边降低了开关损耗，而低过冲和振铃最小化功率FET上的电压应力。 采用TI最新的GaN技术设计，图1a所示的功率级开关节点波形真的引人瞩目。其在120V / ns转换速率下，从0V升到480V，并具有小于50V的过冲。 图 1 ： TI 600V 半桥功率级 —— 开关波形（ a ）；设备封装（ b ）；半桥板图（ c ）。 GaN FET具有低端子电容，因而可快速切换。然而，当GaN半桥在高di / dt条件下切换时zh-CNTelligent Community 13