/blogs_/b/power_house/posts/52673新年伊始，设计师们似乎在永远不停地追求更高效率。 在此系列的第一部分中 ，我讨论了高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器可以实现相同的效果。 高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表示的体二极管。 图1：MOSFET符号包括固有的体二极管 限制体二极管的导通时间将进而降低其两端所消耗的功率zh-CNTelligent Community 13https://e2echina.ti.com/blogs_/b/power_house/posts/52673Sat, 13 May 2017 06:39:24 GMT91561404-af28-475a-b96b-cb6cbaadd097:0dd1cf7d-3a81-4b51-87a9-d44b14af14ecfeng shang20<p>mosfet的开关，其驱动能力通常是和栅极的驱动电流有关系，因为栅源，栅漏极之间都是有一定的寄生电容的，栅极驱动电流越大，电容充放电的时间越短，那能达到的开关速度也能越大，那这个驱动的能力，是不是有个具体的计算？由于体二极管的存在，二极管通常有个反向恢复时间，这个具体又对mosfet有什么具体影响</p> <img src="https://e2echina.ti.com/aggbug?PostID=52673&AppID=65&AppType=Weblog&ContentType=0" width="1" height="1">