/blogs_/b/power_house/posts/52726作者：Masoud Beheshti 电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。 然而，近年来，这些已取得的进步开始逐渐弱化，为下一个突破性技术创造了空间和需求。这就是氮化镓（GaN）引人注目的地方。 作为一种宽带隙晶体管技术，GaN正在创造一个令人兴奋的机会zh-CNTelligent Community 13https://e2echina.ti.com/blogs_/b/power_house/posts/52726Fri, 30 Mar 2018 01:41:10 GMT91561404-af28-475a-b96b-cb6cbaadd097:725bc42c-5c5d-4761-a34a-77f6b9a2312euser44529450<p>MOS的发展一开始是平面MOS，后来发展成coolMOS，到现在的氮化镓 (GaN)，都是在减小MOS的损耗和面积，来提高功率密度。氮化镓的优势有很多，体积小，面积小，输入输入电容小，反向恢复时间基本为0，这样就可以工作在很高的频率，来减小电源体积。相信以后会大量应用。但电源的频率越来越高，不仅仅是MOS要好，变压器磁芯和电解电容也是关键，也要在高频情况下损耗很小。现在的ACDC电源的频率一般在65k-130k。要是GaN能做500k甚至1M的话，那就现在的变压器磁芯也是一种挑战，相信以后这些配套器件也会跟上。</p> <img src="https://e2echina.ti.com/aggbug?PostID=52726&AppID=65&AppType=Weblog&ContentType=0" width="1" height="1">https://e2echina.ti.com/blogs_/b/power_house/posts/52726Mon, 25 Sep 2017 09:12:07 GMT91561404-af28-475a-b96b-cb6cbaadd097:725bc42c-5c5d-4761-a34a-77f6b9a2312euser40874910<p>初步了解了氮化镓 (GaN) 这个技术，相对于MOSFET晶体管，在性能上优势太明显了。不仅有较低的RDS（on）和较低的栅极和输出电荷，还有提高效率和零反向恢复等特点。在电源选型设计上提供很好的参考，能够降低功耗和产品的尺寸。我非常期待在以后的项目中能够用到氮化镓这项技术的产品，对于产品的扩展起到 积极作用。</p> <img src="https://e2echina.ti.com/aggbug?PostID=52726&AppID=65&AppType=Weblog&ContentType=0" width="1" height="1">https://e2echina.ti.com/blogs_/b/power_house/posts/52726Fri, 22 Sep 2017 15:32:25 GMT91561404-af28-475a-b96b-cb6cbaadd097:725bc42c-5c5d-4761-a34a-77f6b9a2312euser37973250<p>高功率密度的器件最适合用于便携式消费类产品</p> <img src="https://e2echina.ti.com/aggbug?PostID=52726&AppID=65&AppType=Weblog&ContentType=0" width="1" height="1">