<?xml-stylesheet type="text/xsl" href="https://e2echina.ti.com/cfs-file/__key/system/syndication/rss.xsl" media="screen"?><rss version="2.0" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/" xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"><channel><title>门驱动的欠压保护功能及其注意事项</title><link>/blogs_/b/power_house/posts/52917</link><description>IGBT/MOSFET等全控型开关器件在现代电力电子系统中的应用日趋广泛，相应的驱动芯片集成度也越来越高，其中欠压保护功能由于可以防止开关管在门极电压较低时饱和导通，被各大驱动芯片公司集成到了自家的驱动芯片上。本文以TI的 UCC5320 驱动芯片为例，介绍欠压保护的作用。另外，在双电源供电时欠压保护功能可能会失效，而UCC5320E在双电源供电时依然可以实现欠压保护。
一、欠压保护的重要性
 图1显示了在一个固定V...</description><dc:language>zh-CN</dc:language><generator>Telligent Community 13</generator></channel></rss>