/blogs_/b/the_process/posts/c2000-mcu-gan与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益，可帮助减小磁性元件的尺寸。 电力电子行业的设计人员需要采用新的技术和方法来提高GaN 系统的性能，在利用GaN 技术开发现代电源转换系统时， C2000™实时微控制器 (MCU ) 可帮助应对各种设计挑战。 C2000实时MCU 的优点 C2000 MCU 等数字控制器具有出色的适用性，适合各种复杂...zh-CNTelligent Community 13