您好！我对BQ34Z100这个IC的操作流程还是有一些不太清楚，下面是我个人从网上搜来的资料整理出来的，不知道流程不否有问题，请各位指导指导下，看哪里有问题。
第一校准：
1、设置增益：
1.1检测电阻是10mohm,把CC Gain与CC Delta 设置成20mohm.
2、校准：
2.1、操作流程：CC Offset->Board Offset->Current
2.2、电流用1A，写入校准电流是500ma,取校准电流的1/2。
第二：CHEM-ID选择
1电池先采用0.5C恒流，恒压把电池充饱
2静置2小时
3连接EVM板，自动log DataRAM数据，间隔为4s一次
4开始用0.1C电流放电，一直放到2.8V
5静置5小时
6将以上的log的数据保存下来用MATHCAD程序计算CHEM_ID（软件哪里下载）
7通过bqCONFIG/EVSW/Gauge studio相应界面下载CHEM_ID
第四：循环学习和导出量产文件
1、确认已经设置好相关的参数以及进行校准和CHEM_ID选择才可以进行此步骤，发送命令0x41复位，导出DFI文件或者SENC文件备用
2、准备好一个放空的电芯（电压在3.0V-3.3V），静置5小时
3、连接板，发送0x0021命令使能IT算法，建议自动记录Data RAM数据（4s间隔）Data FLash数据（10分钟间隔）
4、按照正常充电过程将电池充饱，然后静置2小时，再按照0.2C电流进行放电到截止电压，再静置5小时，确保update status的数值为0x06
5、导出DataFlash的gg文件，用记事本打开修改Update Status为0x02，Cycle Count为0
6、导入之前备份的DFI或者senc文件，然后再写入修改后的gg文件
7、生成DFI，dffs文件
