BQ34Z100操作流程

您好!我对BQ34Z100这个IC的操作流程还是有一些不太清楚,下面是我个人从网上搜来的资料整理出来的,不知道流程不否有问题,请各位指导指导下,看哪里有问题。

第一校准:

1、设置增益:

1.1检测电阻是10mohm,把CC Gain与CC Delta 设置成20mohm.

2、校准:

2.1、操作流程:CC Offset->Board Offset->Current

2.2、电流用1A,写入校准电流是500ma,取校准电流的1/2。

第二:CHEM-ID选择

1电池先采用0.5C恒流,恒压把电池充饱

2静置2小时

3连接EVM板,自动log DataRAM数据,间隔为4s一次

4开始用0.1C电流放电,一直放到2.8V

5静置5小时

6将以上的log的数据保存下来用MATHCAD程序计算CHEM_ID(软件哪里下载)

7通过bqCONFIG/EVSW/Gauge studio相应界面下载CHEM_ID

第四:循环学习和导出量产文件

1、确认已经设置好相关的参数以及进行校准和CHEM_ID选择才可以进行此步骤,发送命令0x41复位,导出DFI文件或者SENC文件备用

2、准备好一个放空的电芯(电压在3.0V-3.3V),静置5小时

3、连接板,发送0x0021命令使能IT算法,建议自动记录Data RAM数据(4s间隔)Data FLash数据(10分钟间隔)

4、按照正常充电过程将电池充饱,然后静置2小时,再按照0.2C电流进行放电到截止电压,再静置5小时,确保update status的数值为0x06

5、导出DataFlash的gg文件,用记事本打开修改Update Status为0x02,Cycle Count为0

6、导入之前备份的DFI或者senc文件,然后再写入修改后的gg文件

7、生成DFI,dffs文件