BQ27750的方案,我做完Golden Sample 后,导出了生SREC文件,然后用生产文件做了10个样品。样品连上电池后我做了些测试,这时放电过流保护后,用大于200mA的电流充电后是可以恢复的(我设置的恢复方式是充电200mA恢复),然后我打开GAUG_EN, 进行充电,充电后(充电至80%左右)。再测试时,放电过流保护后,我用300mA的电流进行充电,发现充不了电了,DSG也没法打开了,现在只有复位才能打开。请问大概是因为什么原因呢?
谢谢!
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BQ27750的方案,我做完Golden Sample 后,导出了生SREC文件,然后用生产文件做了10个样品。样品连上电池后我做了些测试,这时放电过流保护后,用大于200mA的电流充电后是可以恢复的(我设置的恢复方式是充电200mA恢复),然后我打开GAUG_EN, 进行充电,充电后(充电至80%左右)。再测试时,放电过流保护后,我用300mA的电流进行充电,发现充不了电了,DSG也没法打开了,现在只有复位才能打开。请问大概是因为什么原因呢?
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您好!这个我后来找到原因了。后来发现只有电池电压在低于3.6V左右的时候,OCD放电过流保护后,充电才可以恢复打开放电MOS(我设置的放电过流保护恢复方式是充电200mA)。原因是我放电MOS的S极是P+,D极近似于B+(因为充电MOS是打开的,板子是同口设计)。放电MOS关闭后,再去充电激活时,如果S与D极的压差过小,mOS的体二极管过不了这么大的电流(要到0.5V以上体二极管才慢慢导通),BQ检测不到这么大的电流,所以才不会打开放电MOS,因此就出现电池电压高的时候,放电过流保护后充电无法恢复。我后来用镊子跳过放电MOS充电激活,结果就发现200mA左右的电流流过后,BQ打开了放电MOS。
跟MOS选型关系挺大的,我后来把充电恢复的电流改小到20mA ,结果发现,S极与D极的压差还是要达到0.4V多的样子,体二极管才能过这么大的电流(导通比较慢)。这也就是说电芯电压还是需要低于3.8V才能实现,但是单节电芯一共才4.2V,这样肯定不行的。我也没有再换别的MOS,直接把过载(AOLD)保护电流值调的比放电过流保护(OCD)低,直接电流大时直接用过载保护。
不过还是要谢谢您!