我有如下问题,请专业工程师帮忙解答一下:
1. DOD指的是放电深度么?
2. DOD 如果和电池的老化联系在一起?
3. OCV和DOD互为函数么?DOD根据OCV更新,OCV也根据DOD更新?
4. Qmax可以根据首次充电(充电电量为满充的90%)更新么?
5. 如果充放电一直在80%到30%设计电量之间,Qmax会校准么?
6. 3400这个芯片支持几路阻抗学习?
7.DOD0是什么?DOD0是怎么更新的?
8. RM是在什么开始计算?什么点开始更新?计算和更新是一个概念么?
9. 温度函数是否可以被调用?还是只是内部做算法更新用的?
10. FCC更新的频率?