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BQ25886充电时芯片温度较高,效率低

Other Parts Discussed in Thread: BQ25886

使用BQ25886充电时,充电输出为8.2V,1.2A;充电过程中芯片温度较高,测试为55℃到60℃,此时效率约为82%(考虑存在一定的线缆损耗,实际效率会比82%略高);接近充满后,充电电压由8.2V变为8.0V,充电电流由1.2A逐渐变为0.2A左右,0.2A充电20分钟以上,STAT引脚一直是低电平,没有变为高电平(也就是说充电没有完成,还在充电)。

请问:

1.BQ25886背部有散热焊盘,且有地网络的过孔,工作时55℃以上的温度是否正常,效率是否正常(规格书介绍在某些限定条件下效率是93%)?

2.0.2A充电多久后能充满,STAT能变为高电平?

  • 正在查询,稍后回复
  • 您好,问题已经解决了,

    我只用了芯片的BAT输出,没有使用SYS输出,SYS输出端的滤波电容没有接。没有滤波电容情况下SYS输出端的纹波过大导致芯片工作不正常;

    加上SYS输出端的滤波电容后,发热和效率正常了,另一个帖子提问的充电异常情况也解决了,现在在给电池充电,之前充满点后STAT电平不会变高,现在充电,一会儿看看STAT电平是否会变化。

    请问设置好充电电流和充电电压后,在充电过程中芯片的效率是变化的吗?

  • 充电效率您可以参考数据手册11也的效率图
    www.ti.com.cn/.../bq25886.pdf
  • 您好,现在验证功能的时候发现充满电后STAT的状态脚始终是低电平状态,请问是什么原因?

    装了两块板其中一块原本工作正常,现在上电后PG灯亮2秒左右就会熄灭,请问您是否有相关的工程经验是什么原因导致的问题。

    我对比了两个电路板,相关的电阻电容数值都是一样的。

    使用的电路是芯片手册的推荐电路,D+和D-短接,OTG和CE通过10K电阻接地。