一般来说，Ⅰ类产品有PE地，载流体噪声会通过杂散电容耦合到PE地，形成共模噪声干扰；
Ⅱ类产品没有PE底，其共模噪声的传播路径是怎样的？
2 Ⅰ类产品有PE地，EMI整改时，可以再V-与PE地之间串接电阻或电容，可以对共模噪声干扰起到很好的减少作用，有利于EMI辐射；
但是Ⅱ类产品没有这个PE地，EMI整改现在在30-50MHZ很难整下去了，MOS的驱动电阻，吸收电容参数都加到很大，但还是不行，变压器不同的绕法，也不能有效解决这个频段的辐射，该如何处理？
一般来说，Ⅰ类产品有PE地，载流体噪声会通过杂散电容耦合到PE地，形成共模噪声干扰；
Ⅱ类产品没有PE底，其共模噪声的传播路径是怎样的？
2 Ⅰ类产品有PE地，EMI整改时，可以再V-与PE地之间串接电阻或电容，可以对共模噪声干扰起到很好的减少作用，有利于EMI辐射；
但是Ⅱ类产品没有这个PE地，EMI整改现在在30-50MHZ很难整下去了，MOS的驱动电阻，吸收电容参数都加到很大，但还是不行，变压器不同的绕法，也不能有效解决这个频段的辐射，该如何处理？
