如图所示我用STM32的PC14和PC13的通用推挽输出模式控制两个模拟开关芯片，当我将PC13和PC14软件控制置高电平时，两个IO口PC13和PC14给烧了，是因为我的TS12A和STM32的GND进行了0Ω电阻隔离吗？导致电地平面有差别？STM32用的GND，TS12A12511用的AGND两者用0Ω电阻隔离。
如图所示我用STM32的PC14和PC13的通用推挽输出模式控制两个模拟开关芯片，当我将PC13和PC14软件控制置高电平时，两个IO口PC13和PC14给烧了，是因为我的TS12A和STM32的GND进行了0Ω电阻隔离吗？导致电地平面有差别？STM32用的GND，TS12A12511用的AGND两者用0Ω电阻隔离。
如图所示 STM32通过12V转5v（LM2596S）然后过AMS1117-3.3转3.3V供电，TS12A12511通过12V转5V（7805）和-12v转-5V（7905）实现，模拟地和数字地进行了隔离。
