测试发现电流波形为约17A的饱和波形,MOS的电压应力最大值则有650V。
请问这样是不是不正常,该如何改善呢?
尝试更换MOS为Infineon的IPL60R185CFD7,结果还是不合要求。
补充:
追加波形(测波形前将参数如下修改:R14=0 , R15=24; 环路参数改为170W 参数: 180K//1uF/0.033uF 。 R17,R18 =0.13/2 =0.066,R24=24.5K)
波形1:
Ch1 : 1 ZCD/CS pin.
Ch2 : MOS Vs(R17,R18) .
Ch3 : MOS Id .
波形2:
Ch1 : 1 ZCD/CS pin.
Ch2 : Vds .
Ch3 : MOS Id .
开机时的瞬间波形(Ch1:Vds , Ch3: Id):
(参数同上:R14=0 , R15=24; 环路参数改为170W 参数: 180K//1uF/0.033uF 。 R17,R18 =0.13/2 =0.066,R24=24.5K)
Vds和Id稍有降低,但开机时依然有500多V的Vds和约15A的Id
这里是目前采用的UCC28056 Design Calculator.xls :
UCC28056 Design Calculator 0V3 - 200W LED - TOSHIBA 20U 3500pF MOS.xls
请问这个表格中的参数是否有问题?