LM3150空载功耗过高

您好！

有三点疑问：

1. LM3150内部集成了自举二极管，为何外接一个？

2. EN为何不悬空？

3. 考虑到toff_min，频率选择是否合适？

Hi
外置MOS本身相对于内置MOS，静态工作电流大得多，特别是其并不具备Powersaving模式，所以空载功耗如果是几个mA或者十几个mA正常，可以适当降低频率来减小空载电流消耗，同时选择MOS建议尽量选择Qg小的。
输入电压越高，对于降压而言电感峰值电流越大，如果layout不好，寄生参数可能导致电路不稳定，表现在输出不稳定，如果用万用表测量可能偏高，建议用示波器确认。另外也可能是环路不稳定，也可以确认一下。

Hi
500kHz当然没有问题，可以先从选择尽量选择Qg小的MOS入手降低空载功耗，如果仍不能达到需求，在适当降低工作频率。

1. 外置自举二极管，手册也有推荐，增加驱动能力，提高转换效率；2. EN脚外接电容，做了5ms启动延时，这个有问题吗？3.现在的工作频率为500KHz，是经过计算的。还有其他可能存在的问题吗？

有推荐的型号吗？

功耗高跟内部控制器有关，外围电路不好调。

功耗低一点的内置MOS可以

先查一下反馈，应该是反馈补偿有问题了

谢谢分享

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