如下图所示，LDO生成1.8V给DDR2和IO口共同供电。前两天电压还正常1.8V，今天测量发现给内存供电的1.8V电压上升至2.6V，但程序工作正常。
所使用内存是一颗MCP(DDR2和FLASH封装在一起减小体积)标称供电电压不得超1.95V，但程序却能正常运行。
从BOOTME启动时，串口打印BOOTME，内存电压就已经是2.6V了。
焊掉磁珠L24后(断开内存+FLASH)，IO1.8V恢复正常。
如下图所示，LDO生成1.8V给DDR2和IO口共同供电。前两天电压还正常1.8V，今天测量发现给内存供电的1.8V电压上升至2.6V，但程序工作正常。
所使用内存是一颗MCP(DDR2和FLASH封装在一起减小体积)标称供电电压不得超1.95V，但程序却能正常运行。
从BOOTME启动时，串口打印BOOTME，内存电压就已经是2.6V了。
焊掉磁珠L24后(断开内存+FLASH)，IO1.8V恢复正常。
