我想用半桥驱动一个串联谐振的电路,由于谐振时阻抗很低,10-50毫欧级别,所以半桥MOS的电压要工作在0.5V-2V之间,工作电流在10A-30A之间,频率500Khz。但芯片的逻辑部分供电可以保证在5v及以上。
我初步选择了CSD95480RWJ,它内置mos驱动的模块,它的半桥mos能在上述条件下工作吗? 如果不能,应该怎么搭建半桥满足要求?
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我想用半桥驱动一个串联谐振的电路,由于谐振时阻抗很低,10-50毫欧级别,所以半桥MOS的电压要工作在0.5V-2V之间,工作电流在10A-30A之间,频率500Khz。但芯片的逻辑部分供电可以保证在5v及以上。
我初步选择了CSD95480RWJ,它内置mos驱动的模块,它的半桥mos能在上述条件下工作吗? 如果不能,应该怎么搭建半桥满足要求?
Hi
Datasheet参数表中并未Rdson或者Vds等参数,但从效率来看,Rdson应该不大(TI的内置MOS来看,一般都是几十mohn,最多100mohn出头)