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使用LM25117设计输入24V,输出5V/3A，测试驱动波形不正常，空载时输出正常，带载100mA瞬间输出5V就下降了
Hi
首先你需要确认的layout，需要按照layout说明或者参照EVM板， 如果你是用洞洞板或者面包板之类，会因为寄生参数太大，基本上就是不能带载。
如果你正常PCB layout, 你需要注意功率回路尽量小，同时注意sense电阻layout, 避免noise防止过流误保护。
其次MOS选择尽量Qg小的，电感饱和电流至少大于1.2倍最大输出电流。
驱动波形和负载有关，如果重载下驱动波形是方波就是没有问题的，轻载下驱动波形可能不是方波目的是为了提升效率。
如需要进一步分析，可以将电路和layout放上来。
你好，我是正常PCB layout,MOS管选用的推荐电路中的SI7884BDP，电感选择的是6.8UH/3A的，现在测试带载能达到1.4A，负载越大，测试驱动波形的占空比反而下降了，带载1.5A,5V输出就会下降到0
你好，我现在使用的电感饱和电流是3A，按照电感饱和电流至少大于1.2倍最大输出电流，那我至少可以带载2.5A
您好，我将电感换成22UH/8A（没有现成的6.8UH）的饱和电流，输出带载能力确实有所提高，可以带载到2.2A左右，但测试此时的驱动波形，特别差，由于第一次在这里发帖，不知如何上传图片，但又迫切想让你们看到测试波形，望多指教，谢谢！
您好，图一为原理图，是我现在更改了MOSFET的最新原理图，图二是原版PCB，现在将两个SI7884BDP焊接在面包板上，非线到U2上进行测试的，因为之前焊接两个MOS集成在一起的管子，一加载上管的漏源就直通了，图三是焊接6.8UH/3A电感，加载1A时测试的高侧驱动波形
您好，还想追问一下，我测试频率，发现一一直是一个1.25V的全高电压值，我设计的开关频率是480KHz
你的layout很有问题，电感在背面，很容易干扰采样电路的，建议你按照数据手册重新修改你的layout
Hi support!
在一个案子中使用的是BQ25700A这款IC,使用过程中发现芯片和mos同时损坏，mos是我们EVM板上的Q1Q2。我们应用中选用的是AON6994。后级电路正常。请问有什么原因导致这种情况的发生。
