请教TI官方应用手册-升压原理中问题

附上TI升压原理文档,请问TI有降压DC芯片计算原理跟LDO原理计算文档吗?

两个公式有疑惑

1.占空比计算公式哪个正确?

D=(Vo-Vi)/Vo与D=1-Vi*n/Vo(其中n为效率),哪个公式正确?

2.开关峰值公式是不是分降压跟升压?

降压中会看到Isw=Iload+IL/2(其中IL为纹波电流 ),但是在升压中看到公式为 Isw=Iload/(1-D)+IL/2(其中IL为纹波电流 ),所以是不是区分升降压?