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请教TI官方应用手册-升压原理中问题

附上TI升压原理文档,请问TI有降压DC芯片计算原理跟LDO原理计算文档吗?

两个公式有疑惑

1.占空比计算公式哪个正确?

D=(Vo-Vi)/Vo与D=1-Vi*n/Vo(其中n为效率),哪个公式正确?

2.开关峰值公式是不是分降压跟升压?

降压中会看到Isw=Iload+IL/2(其中IL为纹波电流 ),但是在升压中看到公式为 Isw=Iload/(1-D)+IL/2(其中IL为纹波电流 ),所以是不是区分升降压?

  • Hi

        带效率的计算更加准确,只是我们一般按照前面一个计算,比较简洁。一般效率再90%左右,所以两者计算差别也不大。

        升压降压计算当然不一样,topy不一样,差别很大的。

  • 请问TI 有DC降压/的计算原理文档跟LDO的文档吗

  • 1、不一定哪一个准确,象第一个,如果是buck电路,工作再CCM模式下,那个占空比的公式是根据伏秒平衡来的,跟效率是没有关系的。

    2、这个是跟拓扑有关的,不同的拓扑,峰值电流与输出电流的关系是不一样的。

  • 1.按伏秒原理来说,如果工作在连续的模式下,我怎么感觉升压占空比公式跟效率也是没关系的?所以我才有疑惑为什么TI这个里面给的公式是这样的话,他是在什么条件下才成立?
    2.不同的拓扑你是指升压、降压或者升降压等等这样的区分吗?同种的比如都是升压,电流计算是一样的吧?