我司采用贵公司（arm与dsp）双核处理芯片TMS320DM6467TCUT1，三星SDRM:K4T1G164QF-BCE7, Micron(美光半导体)的NAND FLASH：MT29F1G08ABAEAWP的架构方案设计；
系统板图
NAND FLASH原理图
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出货数量 |
约3000块 |
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累计统计故障数量 |
约15块 |
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程序烧写方式 |
串口方式烧写程序 |
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故障现象 |
正常工作的产品断电，重新上电后，系统宕机，且通过复位不可以正常启动 |
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已确定问题点 |
系统引导区uboot直接损坏，nand flash中程序损坏 |
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实验描述 |
将4套（1-4号）样机程序烧写频繁读写FLASH的程序，另4套(5-8号)样机烧写原有程序，在高温55度（加速老练）下，频繁的启停开关电源（约3分钟一个周期），试验时间为一周，有1台（1号）出现该故障现象（上电2小时后重新），重新烧写后，再次运行一周后，均未出现宕机现象。 |
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