This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

关于NANDWriter

Other Parts Discussed in Thread: OMAP-L138

在TI官网上下载OMAP-L138_FlashAndBootUtils_2_40,打算修改后用于6748外接的MT29F4G16ABADAH4这款NANDFlash的程序加载,现遇到问题是,利用创龙6748EasyEVM开发板,断点调试时,到提示擦除芯片是,选择"y",成功后到选择.ais文件这一步时,退出debug模式。给开发板重新上电,发现之前板内程序被清除,复位后流水灯不工作。然后再利用Nandwriter程序断点调试时,就不能进入到擦除芯片这一步,单步跟踪,发现在创建NANDFlash对应的结构体时不成功,具体到:

// Fill in structure
hAsyncMemInfo->hDeviceInfo = &DEVICE_ASYNC_MEM_info;
hAsyncMemInfo->memType = memType;
hAsyncMemInfo->busWidth = busWidth;

这一步中,=后的都是有具体值的,但是给前面的结构体变量赋值后,查看结构体变量的值仍为0,没有赋值成功,导致继续执行,到执行

// Do device specific init for the specified memory type, memory width, etc.
(*hAsyncMemInfo->hDeviceInfo->fxnInit)(hAsyncMemInfo);

时报错“No source available for "0xcfe7775c”,

请哪位遇到过该问题的朋友指点指点,谢谢!

  • 然后我又尝试着找了一个NANDFlash读写操作的工程,往NANDFlash里写了一些内容进去,再次利用NANDwriter单步测试,发现到// Fill in structure
    hAsyncMemInfo->hDeviceInfo = &DEVICE_ASYNC_MEM_info;
    hAsyncMemInfo->memType = memType;
    hAsyncMemInfo->busWidth = busWidth;
    这一步赋值又正确了,说明NANDFlash的结构体创建成功了,后续可以往里写.ais文件了。
    与前述问题结合起来,二者有什么必然联系吗?
  • 重新找的例程跟之前的程序有对比过吗?
    OMAP-L138_FlashAndBootUtils_2_40里面的烧写例程我之前在TI开发板上测试过,没有出现你描述的退出debug的现象。
    另外你用的创龙的开发板他们应该会提供相关的烧写程序,建议对比看看。
  • 开发板测试都可以,就是用到自己设计的电路上16位nandflash不成功,不过之前测试读自己电路上的flash芯片信息成功过,后续都不行了。在例程基础上也就改了位宽设置