用F021_API_F2837xS_FPU32.lib库对28377s的Flash进行擦除和烧写操作。
参考的是F2837xS_sci_flash_kernel这个例程。
在Shared_Erase函数内看到其调用了Fapi_issueAsyncCommandWithAddress()这个函数对FLASH进行擦除。
函数原型是：
extern Fapi_StatusType Fapi_issueAsyncCommandWithAddress(
Fapi_FlashStateCommandsType oCommand,
uint32 *pu32StartAddress );
第二个参数是要擦除的扇区起始地址。
我想问的是，我能否改变 flash_programming_c28.h 中对扇区起始地址的定义，去改变要擦除的扇区位置和大小？
比如我把 改为
#define Bzero_SectorA_start 0x80000 #define Bzero_SectorA_start 0x81000
#define Bzero_SectorA_End 0x81FFF #define Bzero_SectorA_End 0x81FFF
这样调用
Fapi_issueAsyncCommandWithAddress(Fapi_EraseSector, (uint32 *)Bzero_SectorA_start );
就由擦除 0x80000 ~ 0x81FFF 变为擦除 0x81000 ~ 0x81FFF
