电路组成：动态存储器 + 静态存储器
仿照TI的例程，对端口初始化，
setup_emif1_pinmux_sdram_16bit(0);
以及SDRAM的其它设置，现在已经能够正常读写SDRAM，
然而，对静态存储器的读写却不正常，写入和读出的不一致，在调试时，发现仅偏移为0的地址的内容有变化，且正常，其它没发现有正常的。
设置为：
Emif1Regs.ASYNC_CS2_CR.all = (EMIF_ASYNC_ASIZE_16 | // 16Bit Memory Interface
EMIF_ASYNC_TA_3 | // Turn Around time of 2 Emif Clock
EMIF_ASYNC_RHOLD_5 | // Read Hold time of 1 Emif Clock
EMIF_ASYNC_RSTROBE_5 | // Read Strobe time of 4 Emif Clock
EMIF_ASYNC_RSETUP_1 | // Read Setup time of 1 Emif Clock
EMIF_ASYNC_WHOLD_1 | // Write Hold time of 1 Emif Clock
EMIF_ASYNC_WSTROBE_9 | // Write Strobe time of 1 Emif Clock
EMIF_ASYNC_WSETUP_8 | // Write Setup time of 1 Emif Clock
EMIF_ASYNC_EW_DISABLE | // Extended Wait Disable.
EMIF_ASYNC_SS_DISABLE // Strobe Select Mode Disable.
);
随后查看了关键信号，如下：
使用程序为TI的例程程序：
mem_read_write(0x100000, 0x480);
谢谢大家