调试TMS570 EMIF 异步读写模式时,发现两次读或两次写之间都会有二十几个clk(clk=90M)的间隔,感觉这个间隔有点长,是否可以优化一下?缩短到几个clk
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调试TMS570 EMIF 异步读写模式时,发现两次读或两次写之间都会有二十几个clk(clk=90M)的间隔,感觉这个间隔有点长,是否可以优化一下?缩短到几个clk
您好,我在使用TMS570LC4357的EMIF异步通信方式读外部设备数据,希望配置成nor flash page mode,但一直未配置成功,是否与您所说的这个芯片级bug有关,我查阅了TMS570LC4357芯片的勘误手册(Silicon Revision B),仅有该项“EMIF generates data abort on register read after time-out error”与异步通信相关,您说的芯片级bug是否是这个?还望不吝赐教,非常感谢。