使用模拟IIC读写EEPROM，增加WP后读写数据不对

user6081461

Intellectual 330 points

Other Parts Discussed in Thread: MSP430FG4618

使用MSP430的模拟IIC对EEPROM进行读写，其中增加了WP的保护，但在读写数据时不对，但不增加WP，读写数据就可以，想请教下是什么原因导致此现象；

WP是在写之前关闭，在写之后关闭，中间增加1s延时，有无问题？

4 年多前

0 Susan Yang 4 年多前

TI__Guru**** 252096 points

请问您现在使用的是什么芯片？EEPROM型号呢？

您可以先参考下

www.ti.com/.../slaa769a.pdf

www.ti.com/.../tidubi8a.pdf

0 user6081461 4 年多前回复 Susan Yang

Intellectual 330 points

我用的是MSP430FG4618的，EEPROM用的是AT24LC256

0 user6081461 4 年多前回复 user6081461

Intellectual 330 points

谢谢

0 xyz549040622 4 年多前回复 user6081461

Guru 65885 points

即使增加了WP，读操作也是被允许的，不应该读数据不对呀，建议重新测试，WP在写数据之前写0，写完数据写1是没有问题的，同样一样要注意电平的匹配，MCU和eeprom的供电是否一样呢？

0 灰小子 4 年多前

Guru 67475 points

建议用逻辑分析仪观察一下通讯时序，和eeprom手册上要求的对比一下。

0 user6081461 4 年多前回复 xyz549040622

Intellectual 330 points

不是读数据不对，是读的数据跟写的数据不一致；
WP在写数据之前是0，写完了是1，MCU和EEPROM供电一样；
还有个就是，我在初始化时直接把WP写0，再在主程序中进行读写数据，没有任何问题，读写数据一致

0 user6081461 4 年多前回复灰小子

Intellectual 330 points

没有逻辑分析仪，每增加WP前我的程序对EEPROM读写是没有任何问题的，因为出现了突然断电丢数据问题，才增加这个WP想来降低这个概率

0 xyz549040622 4 年多前回复 user6081461

Guru 65885 points

wp=0;
加点延时;
写数据;
加点延时;
wp=1;
加点延时;
读数据；
你是这么操作的吗？

0 灰小子 4 年多前回复 user6081461

Guru 67475 points

没有逻辑分析仪调试这些通讯时序挺麻烦的，只能靠猜。
建议买个三、四十元的，会很方便的

0 user6081461 4 年多前回复灰小子

Intellectual 330 points

昨天查找到原因了，因使用的是两种大小的E2PROM的IC，又用IIC通信共用总线，在单独使用WP控制一个的时候，大存储的会拉低小存储的电压造成写不进去，只有同时对两个IC的WP同时拉低才可以正确操作写数据

0 灰小子 4 年多前回复 user6081461

Guru 67475 points

你用的这个msp430内部有information flash存储区域，一些参数也可以存放在这个区域。就可以减少外部eeProm的使用了。

0 xyz549040622 4 年多前回复 user6081461

Guru 65885 points

提供的信息不完善，你压根没提挂了两片eeprom，能找到问题才怪。

0 user6081461 4 年多前回复 xyz549040622

Intellectual 330 points

这个确实是疏忽了，不好意思啊

0 user6081461 4 年多前回复 xyz549040622

Intellectual 330 points

谢谢

0 user6081461 4 年多前回复灰小子

Intellectual 330 points

谢谢

0 user6081461 4 年多前回复 xyz549040622

Intellectual 330 points

你好，想请教下，使用IIC来在两片不同大小的EEPROM上做存储，一个256K byte的，一个32K byte的，小的会受大的电压的影响，是什么原因？

0 灰小子 4 年多前回复 user6081461

Guru 67475 points

个人认为，是因为两个ic内部电路结构不同，尤其是写保护的工作电路和保护方式。

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使用模拟IIC读写EEPROM，增加WP后读写数据不对