老师好！
公司最近在使用TRF7970A开发一款NFC设备，由于在后端加了一个3W的射频功率放大器，导致电路噪声大导致MCU不能正常工作，现在想改进这一电路，有几个问题想请教您：
1.TRF7970的几个地（VSS_PA,VSS_RX,VSS,VSS_A,VSS_D）如何连接才能使噪声最小化？
我的计划是VSS_PA,VSS_RX相连作为PA_GND，VSS,VSS_A,VSS_D相连作为GND，PA_GND与GND通过磁珠单点连接，是否可行？关于接地，有哪些更好的建议？
2.插入光耦阵列导致SPI通讯异常
我在MCU和RTF7970A之间插入光耦阵列(信号包括EN,SLCK,MOSI,MISO,SS,IRQ)，期望减少MCU端的噪声，现在却导致了SPI通讯异常,光耦引起的延迟为1.5us左右。具体现象如下：程序像是停止运行，但是可以响应定时器中断。把光耦去除，则通讯正常，请问出现这个问题是否是光耦延时导致的SPI通讯异常？我参考的是官方程序，如何才能时序上更加可靠？
