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  • RE: [参考译文] ISO5852S：E/C表和应用问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Brian， 1.我们将继续努力并随时为您提供最新信息。 2.我们正在研究一些使用ISO5852S驱动SiC MOSFET的参考设计。 将在不久的将来与您分享这些报告。 谨致问候， 熊
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  • RE: [参考译文] ISO5451：使用外部电流缓冲器电路时的有源米勒钳位

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Tobias、 很抱歉、我看不到您附加的图片。 您可以尝试以不同的方式连接它吗？ 您仍可以将内部米勒钳位与缓冲器电路配合使用。 但是、如果您在 VEE2上使用负偏置、则最好仅使用外部缓冲器的下拉电阻器、因为与内部米勒钳位相比、它在物理上更靠近 SiC MOSFET 的栅极。 因此、在这个应用中也许没有必要使用钳位。 此致、 Audrey
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  • [参考译文] UCC21530EVM-286：UCC21530

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC21530 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/942333/ucc21530evm-286-ucc21530 器件型号： UCC21530EVM-286 主题中讨论的其他器件…
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  • [参考译文] ISO5852S：关于外部电流缓冲器级

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC27531 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/745086/iso5852s-regarding-external-current-buffer-stage 器件型号…
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  • RE: [参考译文] UCC28950：使用 UCC28950的1.5kW 直流/直流转换器- 400V 输入、150V 输出、10A 输出电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Colin、 非常感谢您的宝贵见解。 我们已在 SLUC222D (最新版本)中重新运行计算、并在仿真模型中使用了相同的值。 希望我们已经选择了正确的 MOSFET 来切换初级(QA、QB、QC 和 QD)和 SR MOSFET (QE 和 QF)中的直流总线电压。 根据 Excel 设计工具、设计看起来不错。 但是，当我们尝试使用“slum169a.zip”中的 pspice…
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  • RE: [参考译文] SN6501-Q1：SN6501

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Van： 不用客气！ 在 TIDA-01605中、显示的仿真是 SiC MOSFET 电路。 抱歉、我们不支持 LTSPICE 仿真模型或分析。 下面随附了一个 PSpice 仿真项目、其中包含可用于分析的简单 SN6501电路。 e2e.ti.com/.../SN6501-circuit.zip 确保您拥有最新版本的 PSpice for TI (2021.1版本17.4…
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  • RE: [参考译文] UCC256304：适用于 SiC FET (和 UCC24612)用例的 LLC 解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 肖特志 我在这里没有听到您的声音、因此我要关闭线程。 如果您使用的是 SiC 整流器 MOSFET、请特别注意 UCC24612的热性能。 通常、考虑到 UCC24612是为目标应用设置了特定阈值的 VDS 感应 SR 控制器、我们还建议将其与具有3mohms Rdson 或更高 Rdson 的 FET 配合使用以实现正常运行。 当 Rdson 低于3mohms 时、它可能无法按预期工作…
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  • RE: [参考译文] UCC3895：OUTR 和 OUTD 脉冲不稳定且不对称

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 亲爱的 Bliss 我们已经检查了斜坡和补偿引脚波形、请找到所附的波形。 请检查并提供您的意见。 我们根据应用手册提供了斜率补偿、该应用手册已包含在先前共享的原理图中。 我们在输入偏置上连接了 CT、但未观察到任何改进。 R55至 R58为120欧姆电阻器、我们将 SIC MOSFET 用作开关、为此、我们将使用电源集成器件型号 SID1182K 的驱动器 IC。 此 IC…
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  • [参考译文] ISO5452：SiC 短路保护

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    Other Parts Discussed in Thread: ISO5452 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/747680/iso5452-sic-short-circuit-protection 器件型号： ISO5452 你(们…
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  • RE: [参考译文] TIDA-01605：短路检测电路说明、用户指南第9页

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Gangyao、 那么、您同意用户指南中存在错误吗？ 解释应指的是 D6、而不是 D5。 如果是、您能否澄清 D5的用途？ 在关断状态期间是否存在钳制栅极电压？ 在 SiC MOSFET 关断且漏极电压升高时、是否可能防止由于通过 D6进行反向恢复而导致栅极电压升高？ 此致、 Andrew

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