Other Parts Discussed in Thread: CSD19533Q5A 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1171857/drv8323r-weird-ghx-waveform 器件型号: DRV8323R 主题中讨论的其他器件: CSD…
Other Parts Discussed in Thread: UCC256404 , UCC256301 , CSD19533Q5A 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system…
Other Parts Discussed in Thread: LM5145-Q1 , CSD19533Q5A 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046084/lm5145-q1-design-components-specifi…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Zhonghui、
感谢您向客户推广 TI FET。 FET 选择工具使用本 应用报告中的公式 来估算 FET 中的功率损耗。 一个关键因素是包含影响高侧 FET 开关损耗的共源寄生电感。 用户首先选择低侧 FET、然后选择高侧 FET。 选择具有最低功率损耗的同步 FET 并不总是导致最低总体功率损耗、因为低侧的反向恢复损耗实际上会在高侧 FET 中耗散。 导通电阻最低的同步…
Other Parts Discussed in Thread: LM5145 , CSD19532Q5B , CSD19534Q5A , CSD19533Q5A 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/993459/csd19532q5b-recommendation…