• RE: DRV5033霍尔芯片的Bop和Brp、Bhys咨询

    我司当前的应用是HALL接近开关 1. DRV5033 与磁铁位置设计是否需要满足:磁铁接近芯片时,芯片上的磁场强度必须大于6.8mT,芯片才能可靠输出低电平;磁铁远离芯片时必须满足磁场强度小于0.5mT,芯片才能可靠输出高阻态(接上拉10k电阻,输出可靠变为5V); 2. 对于特定的一个 DRV5033 芯片(已经做成成品HALL接近开关),实际测试磁铁接近芯片时的最大磁场强度=4mT,磁铁远离芯片时最小磁场强度等于1mT。实际用示波器测试 DRV5033 的输出波形为,磁铁接近芯片时电压为0V...
  • 霍尔传感器在表类防拆检测中的应用

    作者: Yuan Tan 全球因为偷电和非技术性损失巨大,大大影响了供电部门和用户的利益。拆表是一种常见的非技术性损失,通过停表和减慢表等方式来少交电费。为了尽量杜绝这种现象的发生,防拆检测功能十分重要。 图1 表壳外观 传统的拆表检测可以用机械设计来完成。在表壳上做一个向下突起的部分,再在PCB对应的位置上放置一个按钮,使表壳突起的部分压住按钮,按钮的输出和MCU的input口链接。当有人打开了表壳,表壳和按钮分开,改变了MCU的输入,MCU报警。这种传统做法成本低...