请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ravid、
对于此设计、您选择了我们的低 RDS (on)和高侧和低侧栅极电荷 FET 之一。 虽然这将最大程度地减少导通损耗、但也会增加高侧 FET 中的开关损耗和两个 FET 的栅极驱动损耗。 我一直使用我们的在线工具( www.ti.com/.../fetpwrcalc) 来估算功率损耗、CSD17573Q5B 由于开关损耗过大、因此不是高侧 FET 的最佳选择。…