Other Parts Discussed in Thread: LMG5200POLEVM-10 , TPS53632G 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/863476/lmg5200polevm-10-programming-tps53632g…
Other Parts Discussed in Thread: LMG5200POLEVM-10 , LMG1210EVM-012 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/700704/lmg1210evm-012-gerber-files…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Stefan、
是的、LMG5200 EVM 和 BOOST-3PhGaNInv 应能让您熟悉 GaN。 GaN FET 比 Si MOSFET 具有许多优势、例如零反向恢复、这允许在半桥配置中使用 GaN FET、更低的输出和栅极电荷损耗、从而实现更高的开关频率和更高的压摆率。 因此、它允许使用更高开关频率的转换器以及可使用硬开关半桥同时实现更高功率密度和效率的新拓扑…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jan、
谢谢您的关注、这是一个很好的问题。
平面变压器构建在一个10层电路板上、其中1、4、5、7、10层专用于次级侧(每一个并联)、另一个专用于初级侧(每一个串联一个匝)。
堆叠后将进入 S PP SS P S PP S (S=次要 P=主要)。
请参考下图。
我希望这能回答你的问题。 如果有、请单击验证答案按钮。
此致、
Alberto