低功耗AC / DC电源的实用EMI注意事项
EMI简介
差模EMI
共模EMI
CM EMI的缓解方案
共模扼流实用性
变压器对CM EMI的影响
Final Result and Summary
6.Practical EMI Considerations for Low-Power ACDC Supplies.pptx
Other Parts Discussed in Thread: PMP21479 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/885272…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 有源钳位反激式和 QR 反激式之间有两个主要差异。 第一个是有源钳位反激式中的钳位电容器回收变压器的泄漏能量、而 QR 反激式中的耗散钳位将泄漏能量作为功率损耗进行燃烧。 与有源钳位反激式相比、这会导致 QR 反激式转换器的效率降低。 泄漏损耗也取决于频率、因此这也会限制 QR 反激式中的最大开关频率。 第二个主要区别是、在转换模式下运行的有源钳位反激式可在所有输入条件下提供零电压开关…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 在有源钳位反激式中、初级 FET 的输出电容是限制最大开关频率的主要因素。 GaN FET 具有比 Si FET 更低的输出电容、裸片尺寸和导通电阻相同。 因此、与 Si FET 相比、GaN FET 可实现更高的开关频率。 开关频率越高、变压器越小、总体设计就越小、功率密度也就越高。 但是、在市场的当前状态下、GaN FET 比 Si FET 更昂贵、并且几乎没有太多可供选择的器件…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Hiroshi-San
正确、为了实现小解决方案尺寸和高效率、必须使用有源钳位反激式、而不是 QR 反激式。
适配器的尺寸取决于开关频率。 为了实现较小的解决方案尺寸、需要尽可能提高频率。 以下应用手册、技术培训视频和 TI 电源设计研讨会(PSDS)演示介绍了有源钳位反激式与 QR 反激式相比如何降低损耗、使其能够在高于 QR 反激式的频率(这意味着更小的尺寸)下运行
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