Other Parts Discussed in Thread: DRV8245-Q1 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1277066/drv8245-q1-drv8245-q1-part-details 器件型号: DRV8245-Q1 请提供有关此器件…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Yogini:
谢谢咨询。 TI NexFET 是硅功率 MOSFET。 GANFET 是一款氮化镓(GaN) FET、 目前、TI 不制造任何分立式 GaN 器件。 与我们的分立式功率 MOSFET (NexFET)不同、TI 的所有 GaN 产品都将驱动器和600V 至650V GaN FET 集成到一个封装中。 分立式 GaN FET 可从其他半导体公司购买、但成本通常高于硅…
Part Number: UCC28780 Other Parts Discussed in Thread: UCC27712 , UCC24612
我想用UCC28780设计输出DC180V1A的输出,没有严格的电压文波电流文波高要求,但希望可以持续输出这个功率,在条件:瞬间负载时也就是2.6ms驱动负债,每秒驱动12次;这个条件下输出的平均功率大概再60W,压降不要低于160VDC即可满足要求。如果用 UCC28780能否设计出?
能否不使用氮化镓开关管的情况下,使用NMOS与UCC27712半桥驱动器设计一个100KHz或200KHz的经典反激…
在本期 TI 培训课程推荐中,我们为大家带来了GaN 在电动汽车充电站和储能逆变器中的应用系列视频。 我们的氮化镓 (GaN) FET 系列具有集成的栅极驱动器和 GaN 功率器件,可提供具有整个生命周期的可靠性和成本优势的高效 GaN 解决方案。
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Part Number: TMS320F28335 想请教大家一个问题,Si MOSFET的驱动电压一般为0-15V,偶尔可能也会采用负压关断来避免误开通现象,但是负压太大会对MOSFET产生什么样的影响呢?以氮化镓为例,较大的负压可能会导致较大的关断损耗,那么这是否适用于MOSFET呢?我目前打算采用了正负15V的电压来驱动MOSFET会不会有问题呢?