LM358：此器件由 TI 在 20 世纪 90 年代设计和发布，是一款传统器件，最大电源电压高达 32V，具体取决于等级。此器件应用广泛，可由许多半导体公司制造（不过各公司的版本都有细微差异，本论坛帖子不予讨论）。
LM358-N：如上所述，LM358 可由多家半导体公司制造。其中一家公司是 National Semiconductor，这家公司已于 2011 年被 TI 收购。因此，National Semiconductor 公司的 LM358 版本已更名为 LM358-N。
LM358 和 LM358-N 在设计时都充分考虑到性价比。然而，借助新的设计技术、工艺技术和制造方面的改进，TI 能够设计出针对常见应用进行优化的新器件。此外，较新的器件具有 EMI 滤波、更低的功耗、更宽的温度范围、更好的初始输入失调电压和 Vos 漂移，并且仍然具有良好的性价比。
LM358LV：“LV”表示“低电压”，因此主要差异是电源电压（最大 5.5V 与最大 32V）。之所以开发“LV”版本，是因为我们发现许多客户在低电压应用中使用较高电压的 LM358 和 LM358-N。“LV”版本更适合低电压应用（例如，更低的功率、更好的失调电压和漂移）。请注意，单通道 LM321 和四通道 LM324 也具有“LV”版本（LM321LV 和 LM324LV）。
LM358B：主要差异同样是电源电压（最大 36V 与最大 32V）。开发“B”版本的原因有很多。首先，许多应用都具有 +/- 15V 电源，因此最好具有 36V 的最大电源电压。此外，“B”版本在几乎每个规格（包括失调电压、增益带宽、压摆率和更宽的温度范围）中都有更好的表现。最后，与大多数新器件一样，“B”版本具有 EMI 滤波器。
