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AMC3311: AMC3311 上电 DIAG 持续拉低约 60 秒，启动时间异常长，原理图求助

GONG LI — Wed, 04 Nov 2026 10:03:17 GMT

Part Number: AMC3311

TI 工程师您好：
项目为直流充电站母线电压采样，使用 AMC3311。
电路简述：
低压侧 VDD=5V，DIAG 引脚使用 10k 上拉到 VDD；
高压侧 HGND 中点：采用单颗 100k 电阻跨接在 DC+、DC - 之间建立中点电位；
高压侧电容全部严格按照 datasheet 推荐取值：
DCDC_OUT：1µF+1nF；HLDO_OUT：100nF；IN/HGND 滤波：100nF+1nF；
DCDC_OUT 直接连接 HLDO_IN，符合手册接法；
DC+、DC - 回路增加磁珠，HGND 和母线负之间放置 100pF 电容。
现象：SCH_Schematic1_2026-08-20.pdf
低压 VDD、高压母线上电后，DIAG 持续低电平大约 60 秒；等待约 1 分钟后 DIAG 自动拉高，芯片输出 OUTP/OUTN 恢复正常，后续工作稳定。
手册说明正常启动仅毫秒级；电容没有放大，都是推荐值，排除电容充电太慢。
我的猜想：单颗高阻 100k 形成的 HGND 中点阻抗很高，上电母线建立过程中 HGND 电位浮动，导致内部隔离 DCDC 长时间无法稳压、反复启动失败。
想向您确认几个问题：
HGND 中点是否不允许只用一颗跨接电阻？是否必须采用上下串联分压电阻的方式提供 HGND 电位？
在电容规格正确的前提下，还有哪些因素会导致长达一分钟的 DIAG 低电平？
推荐优先测量哪些点位波形定位根因？
附件是原理图，麻烦帮忙检查设计风险，谢谢！

RE: AMC3311: AMC3311 上电 DIAG 持续拉低约 60 秒，启动时间异常长，原理图求助

Alice — Wed, 04 Nov 2026 23:33:25 GMT

您好，
已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

RE: TAS67534-Q1: TAS67534-Q1 RTLDG Falsely Detects a Shorted Load with a 4.2 Ω Speaker

Alice — Wed, 04 Nov 2026 09:08:32 GMT

您好，已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

TAS67534-Q1: TAS67534-Q1 RTLDG Falsely Detects a Shorted Load with a 4.2 Ω Speaker

weisong liu — Wed, 04 Nov 2026 08:35:34 GMT

Part Number: TAS67534-Q1

Dear TI Support Team,

We recently migrated our amplifier from the TAS67524-Q1 to the TAS67534-Q1. We are experiencing an issue where the TAS67534-Q1 Real-Time Load Diagnostics (RTLDG) repeatedly reports a shorted-load fault during audio playback, causing intermittent audio output.

System configuration

Device: TAS67534-Q1
Audio sampling rate: 48 kHz
Actual speaker DC resistance: approximately 4.2 Ω
Current Sense: enabled
RTLDG SL/OL and S2P/S2G diagnostics: enabled for CH1
The TI-recommended 48 kHz, 3 Hz DC-block DSP configuration has been applied and successfully verified through register readback.
The Page 1 register settings at addresses 0xC8 and 0x1C have been removed as previously recommended.

Observed behavior

The startup DC load diagnostic reports that the CH1 load is normal:

DC load diagnostic result:
DC resistance = approximately 4.2 Ω
DC fault = 0
DC pass = 1

C0 = 0x00
C2 = 0x08

However, after CH1 enters PLAY state and RTLDG is enabled, the reported real-time impedance becomes much lower than the actual load:

D1/D2 = 0x00/0x80
Calculated impedance = approximately 0.441 Ω

After fault recovery and another attempt to enter PLAY state, a similar result is observed:

D1/D2 = 0x00/0x8C
Calculated impedance = approximately 0.482 Ω

The amplifier then reports a CH1 RTLDG shorted-load fault:

RTLDG_OL_SL_FAULT_LATCHED (0x8B) = 0x80
RTLDG_S2G_S2P_FAULT_LATCHED (0x8C) = 0x00

CH1 state = FAULT
SL = 1
S2P = 0
S2G = 0

No overcurrent, CBC, S2P, S2G, or DC-offset fault is reported:

0x8D = 0x00
0x8E = 0x00

After a CLEAR_FAULT operation, the channel can return to PLAY, but the same shorted-load fault occurs again. This repeated FAULT/recovery sequence results in intermittent audio.

When we disable the shorted-load diagnostic, audio playback becomes continuous and stable.

Current Clip Detect configuration

In our current configuration:

CLIP_DETECT_CTRL (0x93) = 0x00

Therefore, Clip Detect is not currently enabled, and no Clip Detect DSP configuration has been applied.

Questions

Could you please help confirm the following?

What is the expected D1/D2 RTLDG result range for an actual 4.2 Ω speaker load?
Why might RTLDG report approximately 0.44–0.48 Ω when the DC load diagnostic reports approximately 4.2 Ω?
Could you provide the recommended TAS67534-Q1 DSP configuration for the RTLDG shorted-load threshold?
Could you provide the recommended pilot-tone configuration for a 4.2 Ω load at a 48 kHz sampling rate?
Are any additional Current Sense or RTLDG gain-calibration settings required?
Could you provide the complete DSP configuration script required to enable Clip Detect together with RTLDG, including the correct configuration order?
Are there any RTLDG, Current Sense, pilot-tone, threshold, or DSP parameters from the TAS67524-Q1 that cannot be directly reused for the TAS67534-Q1?
Could you please review our TAS67534-Q1 initialization and RTLDG configuration sequence? We can attach the relevant initialization code and register log for reference.

Our main concern is that the physical load passes the DC diagnostic at approximately 4.2 Ω, but RTLDG measures it as approximately 0.45 Ω during PLAY and subsequently triggers a shorted-load fault.

Thank you for your support.

TPA3255: PFFB容易干扰

jiayang cai — Mon, 02 Nov 2026 09:32:00 GMT

Part Number: TPA3255

PFFB阻容现在用的是0603封装，电阻1%，电容X7R 20%误差。机器发现3255输出左右声道有可能出现底噪跳，重新更换阻容，有概率变好。

PFFB有没有封装材料限制或者要求？

RE: TPA3255: PFFB容易干扰

Alice — Mon, 02 Nov 2026 09:57:03 GMT

您好，
已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

RE: OPA454: OPA454的供电问题

Alice — Mon, 02 Nov 2026 09:55:31 GMT

您好，

[quote userid="185321" url="~/support/amplifiers/f/amplifiers-forum/1101048/opa454-opa454"]我现在不确定OPA454的供电电压为-5~105V可以吗？[/quote]

不可以，OPA454供电范围最大不超过100V.
OPA454 High-Voltage (100-V), High-Current (50-mA) Operational Amplifiers, G = 1 Stable datasheet (Rev. B)

请评估链接型号功率运算放大器产品选择 | 德州仪器 TI.com.cn

请注意：

OPA454: OPA454的供电问题

ke liu — Mon, 02 Nov 2026 00:46:33 GMT

Part Number: OPA454

你好，前面通过DAC芯片输出0~2.5V的电压，想过OPA454放大40倍，输出一个0~100V的电压，我现在不确定OPA454的供电电压为-5~105V可以吗？或者说用OPA454可以实现这个方案吗？

如果不行的话，有没有其他的芯片来实现，谢谢

RE: LF353: LF353损坏

Alice — Mon, 02 Nov 2026 09:54:49 GMT

您好，
建议您请按照以下方式联系客户支持部门，会有客服为您提供帮助。
www.ti.com/.../customer-support.html

LF353: LF353损坏

user4762349 — Mon, 02 Nov 2026 09:28:29 GMT

Part Number: LF353

LF353使用时18年批次芯片可以正常使用，当采用2025或2026批次产品时换上新器件就损坏。不知两个批次产品是否有技术或工艺变更。且总是损坏1、2、3脚的运放

RE: DRV632: DRV632PWR，该物料的类别是

Links — Fri, 30 Oct 2026 02:52:51 GMT

它被归为音频专用放大器，功能为线路驱动器。

关于海关申报，请联系客服部门获得支持

https://www.ti.com/customer-support/request-form

DRV632: DRV632PWR，该物料的类别是

Xiaoqiong HONG — Fri, 30 Oct 2026 01:38:26 GMT

Part Number: DRV632

DRV632PWR

您好，该物料我们需要安排进口报关，目前对该物料的归属类目有点争议，麻烦帮忙确认：该物料功能属于放大功能还是驱动功能？同时提供对应的申报品名、功能描述以及海关 HS 编码，谢谢

RE: DRV632: DRV632PWR，该物料的类别是

FRANK1 — Fri, 30 Oct 2026 01:42:36 GMT

感谢您对TI产品的关注！
关于你的咨询，我们正在确认您的问题，感谢您的耐心等待。

RE: OPA2192: OPA2192IDR封装表面外观问题

Links — Tue, 27 Oct 2026 07:34:34 GMT

您好，

该质量问题，请联系客服部门获得支持

https://www.ti.com/customer-support/request-form

OPA2192: OPA2192IDR封装表面外观问题

DARK NIE — Tue, 27 Oct 2026 02:08:11 GMT

Part Number: OPA2192

你好:
请教一下同一个型号，同一卷里的物料有的塑封表面光亮一些，这种正常吗？

LMH6882: 关于LMH6882增益控制测试不准问题请教

Xianbin Huang — Thu, 22 Oct 2026 06:33:14 GMT

Part Number: LMH6882

您好：

我在使用LMH6882作为VGA增益控制，当前测试6db（2倍）和12db（4倍）下，发现在VGA输入前后的波形幅度峰峰值比值，不等于6db（2倍）和12db（4倍），我核对D0~D7的数字控制是对的。请帮忙分析会是什么问题？如下截图是LMH6882的原理图：

1）在LMH6882 最靠近的输入端，测试的单端波形如下，1M正弦波259.123mvpp；

2）在LMH6882 最靠近的直接输出端。测试波形如下图，差分峰峰值是670mvpp左右；

3）按照测试增益是670/259.123=2.58；

4）测试12db方法一样，VGA输入端单端幅度峰峰值是244.979mvpp，VGA输出差分波形，单端测试分别是659.406，差分波形峰峰值就是1318.812mvpp；按照计算1318.812/244.979=5.38，偏离4倍。

测试有对比断开VGA后级的电路，结果一样。

5）已经确认FPGA设置后，核对D0~D7是对的，分别是规格书说明的，如下图。其他请帮忙分析是啥原因？

RE: LMH6882: 关于LMH6882增益控制测试不准问题请教

Xianbin Huang — Mon, 26 Oct 2026 10:06:01 GMT

您好，请问是否有进一步分析进展呢？我们项目正在使用这个IC，遇到了这个问题。请帮忙确认下，谢谢！

TLV9022: BQ25713RSN/INA300AIDSQR/SN74LVC1G74DCTR/TLV9022DGKR/CSD25402Q3A技术支持

huiqing huang — Mon, 26 Oct 2026 07:42:45 GMT

Part Number: TLV9022

一 BQ25713RSNR 充电控制器 U601

当前条件：1S 配置；输入采样电阻 R604=20 mΩ，充电采样电阻 R605=10 mΩ；OTG/VAP 引脚经 10 kΩ 下拉。ILIM_HIZ 的许可路径含 R1254 0 Ω 链路，当前标为 DNP 未装；后级为 7.50 kΩ/100 kΩ 分压及默认下拉，见附图1。拟议初始化方案是在硬件保持禁止时设置 CHRG_INHIBIT（0x00[0]）=1、ChargeCurrent（0x03/02）=0、AUTO_WAKEUP_EN（0x30[0]）=0，完成配置及回读后才允许运行；不把 HIZ 视为电池放电隔离。

1 启动及重新配置边界

请确认电池单独供电、适配器先上电、慢爬升/欠压恢复时，在保持 ILIM_HIZ 为低的条件下，I2C 可可靠访问所需的电源条件及就绪判据。《BQ25713/BQ25713B 充电控制器数据手册》（SLUSD83C，Rev C）第24页描述的 50 ms、150 ms 和重新判定间隔 2 s，是否有适用于上述条件的保证上下界？若没有，请说明建议的外部监督和超时处理方法。另请明确 AUTO_WAKEUP_EN 与 CHRG_INHIBIT、ChargeCurrent=0 的优先关系，以及适配器重新插入或局部复位时可能重新加载的相关设置，避免初始化前出现非预期充电。

2 20 mΩ 输入采样电阻的换算

拟按《BQ25713/BQ25713B 充电控制器数据手册》（SLUSD83C，Rev C）第40页设置 RSNS_RAC，即字节 0x31[3]=1，RSNS_RSR 即 0x31[2]=0。请明确此设置对 IIN_HOST、IIN_DPM、输入电流 ADC、输入过流/PROCHOT 门限及 PSYS 的影响：哪些量自动补偿电阻值，哪些仍需软件按实际 20 mΩ 换算？请给出适用于本料号的公式或算例，包含零代码和量化规则；不沿用 10 mΩ 示例的物理电流值。

3 两处寄存器文档差异

• 《BQ25713/BQ25713B 充电控制器数据手册》（SLUSD83C，Rev C）第25页表9-1给出 1S 的 REG0x05/04 默认值为 4.192 V，而《BQ25713/BQ25713B 充电控制器数据手册》（SLUSD83C，Rev C）第58页 §9.6.4 及寄存器摘要给出 4.200 V。请确认实际 POR、CELL 检测及 RESET_REG 后的值与采样时点。我方最终充电电压设置仍待确认。

• 《BQ25713/BQ25713B 充电控制器数据手册》（SLUSD83C，Rev C）第35页 §9.5.1.8 将 IIN_DPM 列入双字节写命令，但《BQ25713/BQ25713B 充电控制器数据手册》（SLUSD83C，Rev C）第63页 0x25/24 为只读；《BQ25713/BQ25713B 充电控制器数据手册》（SLUSD83C，Rev C）第61–62页实际主机设置为 IIN_HOST 0x0F/0E。请确认应使用的连续 LSB→MSB 事务及低字节处理要求，并提供勘误或正确示例。

二 INA300AIDSQR 电流比较器 U2010 U2011

当前两只均以 IN+=CHG_BAT_PRE_RSR、IN−=CHG_COMMON 监测 R605 的充电方向；VS/ENABLE 接 AON，LATCH/DELAY 接地，ALERT 经上拉进入硬件故障链。我们拟另设放电方向检测通道，不将现有两只误认作双向检测，也不把 ALERT 释放为高等同于监测器已就绪。

4 响应上界与失电输出

依据《INA300 电流检测比较器数据手册》（SBOS613C，Rev C）第5页及第7.3.4、7.4.2节，请提供或明确没有保证的上电、ENABLE 恢复，以及 DELAY=GND 在规定过驱动、温度和电源条件下的最大报警延迟；我们不会把典型响应时间直接用作整条故障能量预算。对于 VS 缓降/局部断电而 ALERT 上拉仍可能存在的情况，ALERT 状态、泄漏及重新有效的边界是否有保证？《INA300 电流检测比较器数据手册》（SBOS613C，Rev C）第28页的失电输入耐受已知，并不等同于故障输出有效。若需外部电源有效门控或自检，请建议实现原则及必须验证的条件。

三 SN74LVC1G74DCTR 异步清零与时钟配合

重点实例为 U1206、U2037：D、nPRE、VCC 均接 AON；nCLR 分别为 LATCH_CLEAR_N、CHG_MAIN_SEEN_CLEAR_N。U1206 时钟由施密特缓冲器输出 ARM_CLOCK_DELAYED 驱动；U2037 时钟由逻辑门推挽输出 MAIN_RAW 驱动，并非直接接慢 RC 节点。

5 请确认电源有效之前的复位覆盖及释放方法

设计须满足《SN74LVC1G74 D 型触发器数据手册》（SCES794G，Rev G）第6–7、9页在相应 VCC/温度/负载条件下的 nCLR 脉宽、释放至 CLK 的建立时间、数据建立/保持及输入边沿要求，不把 Ioff 或异步清零功能外推到未规定的欠压区间。对于 nPRE/D 随 VCC 爬升、nCLR 持续为低的启动，以及运行中 VCC 缓降，是否存在可保证 Q/nQ 状态的额外电压或保持条件？若没有，请明确推荐的复位监督、时钟屏蔽和重新释放顺序，以及审查复位释放靠近 CLK 或电源恢复时所需的引脚波形。违反规定时序后的输出不得视为确定状态。

四 TLV9022DGKR 温度窗口比较器 U1212

当前由 3.3 V AON 供电，两路开漏输出分别经 10 kΩ 上拉至同一电源；NTC_SENSE 和门限来自 1.25 V 参考及分压，参考电容在掉电时可能比 AON 下降慢。输入由现有偏置、暖温分压和 ADC 支路共同加载。

6 Rev H 输出就绪与高阻节点误差边界

《TLV902x 和 TLV903x 精密比较器系列数据手册》（SNOSDA3H，Rev H）第36页修订记录删除了原 POR 特性，但《TLV902x 和 TLV903x 精密比较器系列数据手册》（SNOSDA3H，Rev H）第22页 §6.4.2.2 仍明确输入在 VS=0 或爬升/下降期间的容错条件。请说明当前 TLV9022DGKR 是否仍有可保证的上电/欠压输出状态和就绪时间，或需外部监督与输出门控。《TLV902x 和 TLV903x 精密比较器系列数据手册》（SNOSDA3H，Rev H）第11页 IB、IOS 及《TLV902x 和 TLV903x 精密比较器系列数据手册》（SNOSDA3H，Rev H）第12页响应/上电时间为特定条件下的典型值：请提供或明确没有保证的全温输入偏置/泄漏上界，以及在本板 3.3 V、10 kΩ 上拉、缓变输入、给定最小过驱动和总输出电容下的最大响应时间。若只能提供表征数据，请建议误差预算、迟滞及验证方法。我们不将输入容错解释为输出始终安全，也不直接套用 5 V、2.5 kΩ 上拉的典型延迟。

五 CSD25402Q3A 功率 MOSFET

当前 Q605 为 BQ25713 的 BATFET；Q606/Q607、Q2001/Q2002 各为并联的单方向阻断级。我们已识别其体二极管方向，不将并联器件视为冗余或双向隔离。

7 线性及重复体二极管瞬态的适用数据

针对 Q605 在 BQ 低电压充电阶段可能进入线性区，以及关断过渡中上述器件可能承受的体二极管电流，请说明《CSD25402Q3A P 沟道 MOSFET 数据手册》（SLPS454B，Rev B）第4页热阻曲线、《CSD25402Q3A P 沟道 MOSFET 数据手册》（SLPS454B，Rev B）第6页单脉冲 SOA 如何用于高起始结温和重复脉冲工况；是否有补充的线性区/体二极管限制或推荐验证方法？我们不会直接以典型 RDS(on)、绝对最大电流或单脉冲图作为本板允许值。请列出进行器件适用性确认所需的 VGS/VDS/ID 波形、重复周期、起始温度及 PCB 散热资料。

请按编号回复，并区分数据手册保证值、典型或表征数据及尚未明确的条件。如需补充工况或实测波形，请列明所需字段。

RE: TLV9022: BQ25713RSN/INA300AIDSQR/SN74LVC1G74DCTR/TLV9022DGKR/CSD25402Q3A技术支持

Alice — Mon, 26 Oct 2026 09:36:13 GMT

您好，已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

LMH13000: 我需要该器件的评估板的原理图和PCB图工程文件

zhang answer — Fri, 23 Oct 2026 05:51:00 GMT

Part Number: LMH13000

我需要该器件的评估板的原理图和PCB图工程文件

RE: LMH13000: 我需要该器件的评估板的原理图和PCB图工程文件

Eirwen — Mon, 26 Oct 2026 06:05:16 GMT

用户指南中有原理图和PCB布局图

https://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/zhcucu8b/zhcucu8b.pdf

没有可提供的PCB图工程文件

RE: LMH13000: 我需要该器件的评估板的原理图和PCB图工程文件

FRANK1 — Fri, 23 Oct 2026 06:56:49 GMT

感谢您对TI产品的关注！关于你的咨询，我们正在确认您的问题，感谢您的耐心等待。

TL061: TL061ID芯片发烫

david chu — Wed, 21 Oct 2026 01:40:05 GMT

Part Number: TL061

我们有个显示屏，在测试时出现了1PCS TL061ID 这个IC 发烫的异常。更换一个IC后，模组功能正常。

想了解下，出现TL061ID功能异常，是什么原因？与电路的搭配是否相关？

如下是我司与这个IC相关的电路。

RE: TL061: TL061ID芯片发烫

Eirwen — Thu, 22 Oct 2026 12:58:40 GMT

多少组中出现这一个发烫的芯片？

RE: LMH6882: 关于LMH6882增益控制测试不准问题请教

Eirwen — Thu, 22 Oct 2026 08:00:40 GMT

已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。