[FAQ] 德州仪器 (TI) 的超低噪声 JFET

我们最近推出了 JFE150，这是一款面向低噪声应用的分立式 N 沟道 JFET。

JFE150 数据表

产品信息和支持

JFE150 的一些主要规格：

1. 在 5mA 的 IDS 下，宽带噪声为8nV/rtHz
2. 在较低漏源极电压下，栅极电流（最大值）为 10pA。栅极电流在大约 5V VDS 以上时为零，这会产生8fA/rtHz 的输入电流噪声
3. 40V 栅源极击穿电压
4. 24pF 输入电容 (VDS = 5V)
5. 典型 IDSS 为 35mA，保证限值为 24mA 至 46mA
6. 集成钳位二极管。如果不使用，可以将其悬空。
7. 低量采购则单价约为 2 美元，现可在 TI store 购买。

为什么此器件不采用标准的 JFET 封装？

                答：我们添加了钳位二极管，并且必须适应这些二极管。

钳位二极管对泄漏电流有何影响？

答：我们在钳位电压设为 5V 和 -5V 的输入电流规格中测试栅极电流泄漏。总的来说，钳位二极管对电流泄漏的影响极小（二极管尺寸和泄漏比 JFET 小得多）。

和许多其他音频 JFET 一样，似乎没有依照 Idss 对器件进行分级。

                答：正确，没有分级，所有 JFE150 都将使用 EC 表中列出的规格。

是否有可用的模型？

                答：是的，PSPICE 模型：JFE150 PSpice 模型

                TINA-TI 模型：JFE150 TINA-TI Spice 模型

您将在此产品中提供哪些封装类型？

答：SC70 和 SOT23

此产品是否提供双封装？

                答：是的，它将很快发布 SOIC 和 VSSOP 双封装选项

如何对此产品进行原型设计？

                答：此器件可使用我们的 DIP 适配器 EVM 进行测试。